台积电申请形成半导体结构的方法和半导体结构专利，提供半导体结构及形成方法

金融界2024年8月20日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“形成半导体结构的方法和半导体结构“，公开号 CN202410498918.7，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，本公开的实施例提供了半导体结构，该半导体结构包括：第一半导体器件，包括第一接合焊盘、围绕第一接合焊盘的第一阻挡层、和围绕第一阻挡层的第一介电层，其中，第一接合焊盘包括围绕导电材料的第一金属离子阻挡层；以及第二半导体器件，包括第二接合焊盘、围绕第二接合焊盘的第二阻挡层、和围绕第二阻挡层的第二介电层，其中，第二接合焊盘与第一接合焊盘直接接合，其中，第二接合焊盘的第一部分延伸超过第一接合焊盘的边缘并且与第一介电层重叠，并且其中，第一金属氧化物设置在第二接合焊盘的第一部分上。本公开的实施例还提供了形成半导体结构的方法。

来源：金融界