苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能

金融界 2024 年 8 月 28 日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州晶湛半导体有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法“，授权公告号 CN113169227B，申请日期为 2018 年 9 月。

专利摘要显示，提供了一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底和设置在衬底上的外延层。外延层的至少一部分掺杂有金属原子，靠近衬底的外延层的下表面的金属原子的掺杂浓度高于 1×1017atoms/cm3。

来源：金融界